石英晶體諧振器
發(fā)布日期:2019-11-18
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一、術(shù)語解釋
1、 標(biāo)稱頻率:晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率,通常標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上。
2、 工作頻率:晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
3、 調(diào)整頻差:在規(guī)定條件下,基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。
4、 溫度頻差:在規(guī)定條件下,在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時(shí)工作頻率的允許偏差。
5、 老化率:在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。
6、 靜電容:等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示。
7、 負(fù)載電容:與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示。負(fù)載電容系列是:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。只要可能就應(yīng)選推薦值:10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
8、 負(fù)載諧振頻率(fL):在規(guī)定條件下,晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為
電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí),負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè),在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí),則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。
9、 動(dòng)態(tài)電阻:串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
10、 負(fù)載諧振電阻:在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。 RL=R1(1+C0/CL)2
11、 激勵(lì)電平:晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值。激勵(lì)電平可選值有:2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等12、 基頻:在振動(dòng)模式最低階次的振動(dòng)頻率。
13、 泛音:晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍,這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動(dòng)有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。
2、 工作頻率:晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
3、 調(diào)整頻差:在規(guī)定條件下,基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。
4、 溫度頻差:在規(guī)定條件下,在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時(shí)工作頻率的允許偏差。
5、 老化率:在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。
6、 靜電容:等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示。
7、 負(fù)載電容:與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示。負(fù)載電容系列是:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。只要可能就應(yīng)選推薦值:10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
8、 負(fù)載諧振頻率(fL):在規(guī)定條件下,晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為
電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí),負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè),在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí),則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。
9、 動(dòng)態(tài)電阻:串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
10、 負(fù)載諧振電阻:在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。 RL=R1(1+C0/CL)2
11、 激勵(lì)電平:晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值。激勵(lì)電平可選值有:2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等12、 基頻:在振動(dòng)模式最低階次的振動(dòng)頻率。
13、 泛音:晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍,這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動(dòng)有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。
二、應(yīng)用指南
石英晶體諧振器根據(jù)其外型結(jié)構(gòu)不同可分為HC-49U、HC-49U/S、HC-49U/S·SMD、UM-1、UM-5及柱狀晶體等。
石英晶體諧振器根據(jù)其外型結(jié)構(gòu)不同可分為HC-49U、HC-49U/S、HC-49U/S·SMD、UM-1、UM-5及柱狀晶體等。
HC-49U適用于具有寬闊空間的電子產(chǎn)品如通信設(shè)備、電視機(jī)、電話機(jī)、電子玩具中。
HC-49U/S適用于空間高度受到限制的各類薄型、小型電子設(shè)備及產(chǎn)品中。
HC-49U/S·SMD為準(zhǔn)表面貼裝型產(chǎn)品,適用于各類超薄型、小型電腦及電子設(shè)備中。
柱狀石英晶體諧振器適用于空間狹小的穩(wěn)頻計(jì)時(shí)電子產(chǎn)品如計(jì)時(shí)器、電子鐘、計(jì)算器等。
UM系列產(chǎn)品主要應(yīng)用于移動(dòng)通訊產(chǎn)品中,如BP機(jī)、移動(dòng)手機(jī)等。
石英晶體諧振器主要用于頻率控制和頻率選擇電路。本指南有助于確保不出現(xiàn)性能不滿意、成本不合適及可用性不良等現(xiàn)象。
1、 振動(dòng)模式與頻率關(guān)系:
HC-49U/S適用于空間高度受到限制的各類薄型、小型電子設(shè)備及產(chǎn)品中。
HC-49U/S·SMD為準(zhǔn)表面貼裝型產(chǎn)品,適用于各類超薄型、小型電腦及電子設(shè)備中。
柱狀石英晶體諧振器適用于空間狹小的穩(wěn)頻計(jì)時(shí)電子產(chǎn)品如計(jì)時(shí)器、電子鐘、計(jì)算器等。
UM系列產(chǎn)品主要應(yīng)用于移動(dòng)通訊產(chǎn)品中,如BP機(jī)、移動(dòng)手機(jī)等。
石英晶體諧振器主要用于頻率控制和頻率選擇電路。本指南有助于確保不出現(xiàn)性能不滿意、成本不合適及可用性不良等現(xiàn)象。
1、 振動(dòng)模式與頻率關(guān)系:
基頻 1~35MHz
3次泛音 10~75MHz
5次泛音 50~150MHz
7次泛音 100~200MHz
9次泛音 150~250MHz
3次泛音 10~75MHz
5次泛音 50~150MHz
7次泛音 100~200MHz
9次泛音 150~250MHz
2、 晶體電阻:對(duì)于同一頻率,當(dāng)工作在高次泛音振動(dòng)時(shí)其電阻值將比工作在低次振動(dòng)時(shí)大。"信號(hào)源+電平表"功能由網(wǎng)絡(luò)分析儀完成
Ri、R0:儀器內(nèi)阻:一般為50Ω
R1--濾波器輸入端外接阻抗,阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。
R2--濾波器輸出端外接阻抗,阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。
在濾波器條件的匹配阻抗中有時(shí)有并接電容要求,應(yīng)按上圖連接。
3、 工作溫度范圍與溫度頻差:在提出溫度頻差時(shí),應(yīng)考慮設(shè)備工作引起的溫升容限。當(dāng)對(duì)溫度頻差要求很高,同時(shí)空間和功率都允許的情況下,應(yīng)考慮恒溫工作,恒溫晶體振蕩器就是為此而設(shè)計(jì)的。
4、 負(fù)載電容與頻率牽引:在許多應(yīng)用中,都有用一負(fù)載電抗元件來牽引晶體頻率的要求,這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要,大多數(shù)情況下,這個(gè)負(fù)載電抗呈容性,當(dāng)該電容值為CL時(shí),則相對(duì)負(fù)載諧振頻率偏移量為:DL=C1/[2(C0+CL)]。而以CL作為可調(diào)元件由DL1調(diào)至DL2時(shí),相對(duì)頻率牽引為:
DL1,L2= C1(CL1-CL2)/[2(C0+CL1)(C0+CL2)]。
5、 負(fù)載電容的選擇:晶體工作在基頻時(shí),其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振,在使用負(fù)載電容的地方,其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。
6、 激勵(lì)電平的影響:一般來講,AT切晶體激勵(lì)電平的增大,其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過高會(huì)引起非線性效應(yīng),導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩;嚴(yán)重?zé)犷l漂;過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。
R1--濾波器輸入端外接阻抗,阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。
R2--濾波器輸出端外接阻抗,阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。
在濾波器條件的匹配阻抗中有時(shí)有并接電容要求,應(yīng)按上圖連接。
3、 工作溫度范圍與溫度頻差:在提出溫度頻差時(shí),應(yīng)考慮設(shè)備工作引起的溫升容限。當(dāng)對(duì)溫度頻差要求很高,同時(shí)空間和功率都允許的情況下,應(yīng)考慮恒溫工作,恒溫晶體振蕩器就是為此而設(shè)計(jì)的。
4、 負(fù)載電容與頻率牽引:在許多應(yīng)用中,都有用一負(fù)載電抗元件來牽引晶體頻率的要求,這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要,大多數(shù)情況下,這個(gè)負(fù)載電抗呈容性,當(dāng)該電容值為CL時(shí),則相對(duì)負(fù)載諧振頻率偏移量為:DL=C1/[2(C0+CL)]。而以CL作為可調(diào)元件由DL1調(diào)至DL2時(shí),相對(duì)頻率牽引為:
DL1,L2= C1(CL1-CL2)/[2(C0+CL1)(C0+CL2)]。
5、 負(fù)載電容的選擇:晶體工作在基頻時(shí),其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振,在使用負(fù)載電容的地方,其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。
6、 激勵(lì)電平的影響:一般來講,AT切晶體激勵(lì)電平的增大,其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過高會(huì)引起非線性效應(yīng),導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩;嚴(yán)重?zé)犷l漂;過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。
7、 濾波電路中的應(yīng)用:應(yīng)用于濾波電路中時(shí),除通常的規(guī)定外,更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度,由于濾波晶體設(shè)計(jì)的特殊性,所以用戶選購時(shí)應(yīng)特別說明。
石英晶體濾波器
石英晶體濾波器
一、術(shù)語解釋
1、 插入損耗:信號(hào)源直接傳送給負(fù)載阻抗的功率
1、 插入損耗:信號(hào)源直接傳送給負(fù)載阻抗的功率
(P0)和插入濾波器后傳送給負(fù)載阻抗的功率
(P1)之比的對(duì)數(shù)值。通常用分貝
(dB)為單位進(jìn)行度量,表示為IL=10 lg (P0/ P1)。
(P1)之比的對(duì)數(shù)值。通常用分貝
(dB)為單位進(jìn)行度量,表示為IL=10 lg (P0/ P1)。
2、 通帶波動(dòng):通帶內(nèi)衰耗的最大峰值與最小谷值之差。
3、 通帶寬度;指相對(duì)衰耗小于和等于某一規(guī)定值時(shí)的頻率寬度(如1dB、2dB、3dB、6dB等)。
4、 阻帶衰耗:指整個(gè)阻帶內(nèi)的最小衰耗值。
5、 阻帶寬度:相對(duì)衰耗等于和大于某規(guī)定值時(shí)的頻帶寬度(如40dB、50dB、60dB、80dB等)。
6、 匹配阻抗:濾波器技術(shù)條件中要求的端接匹配阻抗值。
4、 阻帶衰耗:指整個(gè)阻帶內(nèi)的最小衰耗值。
5、 阻帶寬度:相對(duì)衰耗等于和大于某規(guī)定值時(shí)的頻帶寬度(如40dB、50dB、60dB、80dB等)。
6、 匹配阻抗:濾波器技術(shù)條件中要求的端接匹配阻抗值。
二、應(yīng)用指南
石英晶體濾波器根據(jù)其結(jié)構(gòu)不同分為集成式單片濾波器和分離式濾波器。
集成式濾波器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、價(jià)格低,但其帶寬和頻率受到限制,分離式濾波器則可以彌補(bǔ)集成式濾波器的不足,使可實(shí)現(xiàn)的頻率和帶寬得以拓展。
數(shù)字通訊技術(shù)的發(fā)展,對(duì)晶體濾波器的群延時(shí)特性及互調(diào)失真指標(biāo)提出要求,而分離式濾波器能夠較容易解決。
石英晶體濾波器根據(jù)其結(jié)構(gòu)不同分為集成式單片濾波器和分離式濾波器。
集成式濾波器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、價(jià)格低,但其帶寬和頻率受到限制,分離式濾波器則可以彌補(bǔ)集成式濾波器的不足,使可實(shí)現(xiàn)的頻率和帶寬得以拓展。
數(shù)字通訊技術(shù)的發(fā)展,對(duì)晶體濾波器的群延時(shí)特性及互調(diào)失真指標(biāo)提出要求,而分離式濾波器能夠較容易解決。
1、 阻抗匹配:性能優(yōu)良的濾波器在與其端接的電路阻抗不匹配時(shí),濾波特性會(huì)變差,引起通帶波動(dòng)增大,插損增加。當(dāng)外電路阻抗低于濾波器特性阻抗時(shí),中心頻率將下移,反之上移。濾波器的測(cè)試或使用應(yīng)符合以下原理圖
"信號(hào)源+電平表"功能由網(wǎng)絡(luò)分析儀完成
Ri、R0:儀器內(nèi)阻:一般為50Ω
R1--濾波器輸入端外接阻抗,阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。
R2--濾波器輸出端外接阻抗,阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。
在濾波器條件的匹配阻抗中有時(shí)有并接電容要求,應(yīng)按上圖連接。
2、 合理的測(cè)量電平;如同晶體對(duì)激勵(lì)電平的要求一樣,濾波器中其核心元件仍是晶體,因此激勵(lì)電平在沒有規(guī)定時(shí),一般選0dB作為輸入電平。
3、 良好的屏蔽:對(duì)濾波器的輸入端和輸出端進(jìn)行良好屏蔽,以使信號(hào)源的能量不能直接耦合到負(fù)載端。對(duì)甚高頻以上濾波器,則應(yīng)使濾波器與儀器間的連接盡量符合同軸線原理。濾波器在線路上時(shí)應(yīng)盡可能采用大面積接地,并將輸入、輸出端隔離,保證濾波器的阻帶衰耗。
石英晶體振蕩器(簡(jiǎn)稱晶振)
Ri、R0:儀器內(nèi)阻:一般為50Ω
R1--濾波器輸入端外接阻抗,阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。
R2--濾波器輸出端外接阻抗,阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。
在濾波器條件的匹配阻抗中有時(shí)有并接電容要求,應(yīng)按上圖連接。
2、 合理的測(cè)量電平;如同晶體對(duì)激勵(lì)電平的要求一樣,濾波器中其核心元件仍是晶體,因此激勵(lì)電平在沒有規(guī)定時(shí),一般選0dB作為輸入電平。
3、 良好的屏蔽:對(duì)濾波器的輸入端和輸出端進(jìn)行良好屏蔽,以使信號(hào)源的能量不能直接耦合到負(fù)載端。對(duì)甚高頻以上濾波器,則應(yīng)使濾波器與儀器間的連接盡量符合同軸線原理。濾波器在線路上時(shí)應(yīng)盡可能采用大面積接地,并將輸入、輸出端隔離,保證濾波器的阻帶衰耗。
石英晶體振蕩器(簡(jiǎn)稱晶振)
一、術(shù)語解釋
1、頻率準(zhǔn)確度:在規(guī)定條件下,晶振輸出頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率的允許偏離值。常用其相對(duì)值表示。
2、頻率穩(wěn)定度:
2、頻率穩(wěn)定度:
2.1[時(shí)域表征]
⑴ 在規(guī)定條件下,晶振內(nèi)部元件由于老化而引起的輸出頻率隨時(shí)間的漂移。通常用某一時(shí)間間隔內(nèi)的老化頻差的相對(duì)值來量度(如日、月或年老化率等)。
⑵ 日穩(wěn)定度(或稱日波動(dòng)):指晶振輸出頻率在24小時(shí)內(nèi)的變化情況。通常用其最大變化的相對(duì)值來表示。
2.2[頻域表征]
⑴ 單邊相位噪聲功率譜密度,晶振輸出信號(hào)的頻譜中,用偏離載頻f Hz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號(hào)功率之比的分貝(dB)量,可寫作 £(f)單位為dB/Hz。
⑵ 頻譜純度:是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來表示。
⑵ 頻譜純度:是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來表示。
3、輸出波形:有正弦波和方波兩種。
4、輸出幅度:在接入額定負(fù)載的規(guī)定條件下,晶振輸出的均方根值電壓。
5、頻率溫度特性:當(dāng)環(huán)境溫度在規(guī)定范圍內(nèi)按預(yù)定方式變化時(shí),晶振的輸出頻率產(chǎn)生的相對(duì)變化特性
6、壓控線性度:指壓控晶振輸出頻率與壓控電壓曲線偏離線性的程度。
4、輸出幅度:在接入額定負(fù)載的規(guī)定條件下,晶振輸出的均方根值電壓。
5、頻率溫度特性:當(dāng)環(huán)境溫度在規(guī)定范圍內(nèi)按預(yù)定方式變化時(shí),晶振的輸出頻率產(chǎn)生的相對(duì)變化特性
6、壓控線性度:指壓控晶振輸出頻率與壓控電壓曲線偏離線性的程度。
二、應(yīng)用指南
根據(jù)晶振的不同使用要求及特點(diǎn),通常分為以下幾類:普通晶振、溫補(bǔ)晶振、壓控晶振、溫控晶振等。安裝晶振時(shí),應(yīng)根據(jù)其引腳功能標(biāo)識(shí)與應(yīng)用電路應(yīng)連接,避免電源引線與輸出引腳相接輸出。
在測(cè)試和使用時(shí)所供直流電源應(yīng)沒有足以影響其準(zhǔn)確度的紋波含量,交流電壓應(yīng)無瞬變過程。測(cè)試儀器應(yīng)有足夠的精度,連線合理布置,將測(cè)試及外圍電路對(duì)晶振指標(biāo)的影響降至最低。 AT切型晶體的頻率溫度特性曲線如下:
根據(jù)晶振的不同使用要求及特點(diǎn),通常分為以下幾類:普通晶振、溫補(bǔ)晶振、壓控晶振、溫控晶振等。安裝晶振時(shí),應(yīng)根據(jù)其引腳功能標(biāo)識(shí)與應(yīng)用電路應(yīng)連接,避免電源引線與輸出引腳相接輸出。
在測(cè)試和使用時(shí)所供直流電源應(yīng)沒有足以影響其準(zhǔn)確度的紋波含量,交流電壓應(yīng)無瞬變過程。測(cè)試儀器應(yīng)有足夠的精度,連線合理布置,將測(cè)試及外圍電路對(duì)晶振指標(biāo)的影響降至最低。 AT切型晶體的頻率溫度特性曲線如下:
1、普通晶振(PXO):是一種沒有采取溫度補(bǔ)償措施的晶體振蕩器,在整個(gè)溫度范圍內(nèi),晶振的頻率穩(wěn)定度取決于其內(nèi)部所用晶體的性能,頻率穩(wěn)定度在10-5量級(jí),一般用于普通場(chǎng)所作為本振源或中間信號(hào),是晶振中最廉價(jià)的產(chǎn)品。
2、溫補(bǔ)晶振(TCXO):是在晶振內(nèi)部采取了對(duì)晶體頻率溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償,以達(dá)到在寬溫溫度范圍內(nèi)滿足穩(wěn)定度要求的晶體振蕩器。一般模擬式溫補(bǔ)晶振采用熱敏補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。補(bǔ)償后頻率穩(wěn)定度在10-7~10-6量級(jí),由于其良好的開機(jī)特性、優(yōu)越的性能價(jià)格比及功耗低、體積小、環(huán)境適應(yīng)性較強(qiáng)等多方面優(yōu)點(diǎn),因而獲行了廣泛應(yīng)用。
3、恒溫晶振(OCXO):采用精密控溫,使電路元件及晶體工作在晶體的零溫度系數(shù)點(diǎn)的溫度上。中精度產(chǎn)品頻率穩(wěn)定度為10-7~10-8,高精度產(chǎn)品頻率穩(wěn)定度在10-9量級(jí)以上。主要用作頻率源或標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)。
2、溫補(bǔ)晶振(TCXO):是在晶振內(nèi)部采取了對(duì)晶體頻率溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償,以達(dá)到在寬溫溫度范圍內(nèi)滿足穩(wěn)定度要求的晶體振蕩器。一般模擬式溫補(bǔ)晶振采用熱敏補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。補(bǔ)償后頻率穩(wěn)定度在10-7~10-6量級(jí),由于其良好的開機(jī)特性、優(yōu)越的性能價(jià)格比及功耗低、體積小、環(huán)境適應(yīng)性較強(qiáng)等多方面優(yōu)點(diǎn),因而獲行了廣泛應(yīng)用。
3、恒溫晶振(OCXO):采用精密控溫,使電路元件及晶體工作在晶體的零溫度系數(shù)點(diǎn)的溫度上。中精度產(chǎn)品頻率穩(wěn)定度為10-7~10-8,高精度產(chǎn)品頻率穩(wěn)定度在10-9量級(jí)以上。主要用作頻率源或標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)。
4、壓控晶振(VCXO):是一種可通過調(diào)整外加電壓使晶振輸出頻率隨之改變的晶體振蕩器,主要用于鎖相環(huán)路或頻率微調(diào)。壓控晶振的頻率控制范圍及線性度主要取決于電路所用變?nèi)荻O管及晶體參數(shù)兩者的組合。
1、 晶振:即所謂石英晶體諧振器和石英晶體時(shí)鐘振蕩器的統(tǒng)稱。不過由于在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,諧振器用的更多,所以一般的概念中把晶振就等同于諧振器理解了。后者就是通常所指鐘振。
2、 分類。首先說一下諧振器。
諧振器一般分為插件(Dip)和貼片(SMD)。插件中又分為HC-49U、HC-49U/S、音叉型(圓柱)。HC-49U一般稱49U,有些采購俗稱“高型”,而HC-49U/S一般稱49S,俗稱“矮型”。音叉型按照體積分可分為3*8,2*6,1*5,1*4等等。貼片型是按大小和腳位來分類。例如7*5(0705)、6*3.5(0603),5*3.2(5032)等等。腳位有4pin和2pin之分。
諧振器一般分為插件(Dip)和貼片(SMD)。插件中又分為HC-49U、HC-49U/S、音叉型(圓柱)。HC-49U一般稱49U,有些采購俗稱“高型”,而HC-49U/S一般稱49S,俗稱“矮型”。音叉型按照體積分可分為3*8,2*6,1*5,1*4等等。貼片型是按大小和腳位來分類。例如7*5(0705)、6*3.5(0603),5*3.2(5032)等等。腳位有4pin和2pin之分。
而振蕩器也是可以分為插件和貼片。插件的可以按大小和腳位來分。例如所謂全尺寸的,又稱長(zhǎng)方形或者14pin,半尺寸的又稱為正方形或者8pin。不過要注意的是,這里的14pin和8pin都是指振蕩器內(nèi)部核心IC的腳位數(shù),振蕩器本身是4pin。而從不同的應(yīng)用層面來分,又可分為OSC(普通鐘振),TCXO(溫度補(bǔ)償),VCXO(壓控),OCXO(恒溫)等等。
3、 基本術(shù)語。我想這也是很多采購?fù)瑢W(xué)比較模糊的地方。這里我選了一些常用的諧振器術(shù)語拿來做一下解釋。
3、 基本術(shù)語。我想這也是很多采購?fù)瑢W(xué)比較模糊的地方。這里我選了一些常用的諧振器術(shù)語拿來做一下解釋。
Frequency Tolerance(調(diào)整頻差):在規(guī)定條件下,在基準(zhǔn)溫度(25±2℃)與標(biāo)稱頻率允許的偏差。一般用PPm(百萬分之)表示。
Frequency Stability(溫度頻差):指在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi),與標(biāo)稱頻率允許的偏差。用PPm表示。
Aging(年老化率):在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。
Shunt Capacitance(靜電容):等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示。
Load Capacitance(負(fù)載電容):與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示。
一般最關(guān)注的參數(shù)有2個(gè),即調(diào)整頻差,負(fù)載電容。有一部分對(duì)溫度頻差有要求。如果工作溫度范圍比較廣,則會(huì)對(duì)工作溫度范圍有所要求,即所謂寬溫。
4、 選用。主要講講諧振器。理論上來說,只要參數(shù)確定,選任何一種型號(hào)都是可以正常使用的。例如49U和49S替換,49S和圓柱以及和貼片替換,都是沒有問題的。但在實(shí)際選擇中會(huì)根據(jù)電路特點(diǎn),成本以及便利性來考量和選擇。一般來說,簡(jiǎn)單的應(yīng)用中主要都是從成本在考慮。但是有些產(chǎn)品或者電路會(huì)對(duì)晶振的等效電阻,激勵(lì)功率等等提出要求,所以就會(huì)在不同的型號(hào)中加以選擇。另外,貼片則主要是為了適應(yīng)產(chǎn)品日益小型化和提高生產(chǎn)效率的要求。聽到有些采購朋友說,只能選49S而不能用49U或者反之,這是一個(gè)小誤區(qū)。呵呵。
而鐘振的選擇則主要決定產(chǎn)品電路的特性的要求,一般來說鐘振在精密性以及需要達(dá)到相關(guān)應(yīng)用的要求會(huì)更好。例如手機(jī),通信機(jī)站,衛(wèi)星等等。手機(jī)用到晶振系列的比較多。如果是手機(jī)主板上用的,目前主流是Tcxo的小尺寸貼片的,此類基本上由國外廠家把持,以日本尤盛。不過現(xiàn)在出現(xiàn)一個(gè)趨勢(shì),就是有一部分已經(jīng)可以用貼片的諧振器替代,如5032型的。在貼片諧振器一塊,國內(nèi)基本上有那么三四家可以做到。而廠家分布以臺(tái)灣、日本和美國為主。
Frequency Stability(溫度頻差):指在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi),與標(biāo)稱頻率允許的偏差。用PPm表示。
Aging(年老化率):在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。
Shunt Capacitance(靜電容):等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示。
Load Capacitance(負(fù)載電容):與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示。
一般最關(guān)注的參數(shù)有2個(gè),即調(diào)整頻差,負(fù)載電容。有一部分對(duì)溫度頻差有要求。如果工作溫度范圍比較廣,則會(huì)對(duì)工作溫度范圍有所要求,即所謂寬溫。
4、 選用。主要講講諧振器。理論上來說,只要參數(shù)確定,選任何一種型號(hào)都是可以正常使用的。例如49U和49S替換,49S和圓柱以及和貼片替換,都是沒有問題的。但在實(shí)際選擇中會(huì)根據(jù)電路特點(diǎn),成本以及便利性來考量和選擇。一般來說,簡(jiǎn)單的應(yīng)用中主要都是從成本在考慮。但是有些產(chǎn)品或者電路會(huì)對(duì)晶振的等效電阻,激勵(lì)功率等等提出要求,所以就會(huì)在不同的型號(hào)中加以選擇。另外,貼片則主要是為了適應(yīng)產(chǎn)品日益小型化和提高生產(chǎn)效率的要求。聽到有些采購朋友說,只能選49S而不能用49U或者反之,這是一個(gè)小誤區(qū)。呵呵。
而鐘振的選擇則主要決定產(chǎn)品電路的特性的要求,一般來說鐘振在精密性以及需要達(dá)到相關(guān)應(yīng)用的要求會(huì)更好。例如手機(jī),通信機(jī)站,衛(wèi)星等等。手機(jī)用到晶振系列的比較多。如果是手機(jī)主板上用的,目前主流是Tcxo的小尺寸貼片的,此類基本上由國外廠家把持,以日本尤盛。不過現(xiàn)在出現(xiàn)一個(gè)趨勢(shì),就是有一部分已經(jīng)可以用貼片的諧振器替代,如5032型的。在貼片諧振器一塊,國內(nèi)基本上有那么三四家可以做到。而廠家分布以臺(tái)灣、日本和美國為主。
如果是手機(jī)其他部分,比如顯示模塊,攝像模塊等,則晶振應(yīng)用部分一般為較普通的46SMD或者是小尺寸陶瓷貼片。49SMD不用說了,小尺寸陶瓷貼片國內(nèi)基本上作到的極限為2.5*2.0以上,所以不幸的是此塊目前主流的仍然是日本和韓國。
晶振:石英晶體振蕩器(crystal oscillator),
諧振器(Resonator):在電路中等效作用是一個(gè)具有選頻作用的網(wǎng)絡(luò),是振蕩電路核心元器件,決定了振蕩器的頻率穩(wěn)定度(Frequency stability)種類有:石英晶體,陶瓷,LC,介質(zhì)等材料的諧振器。石英晶體與放大電路配合如果行成正反饋,并且回路放大系數(shù)大于一則產(chǎn)生自激振蕩信號(hào)。這就是石英晶體器的基本原理。
1、諧振器和鐘振在原理上的區(qū)別又在哪呢?在設(shè)計(jì)時(shí)如何決定選用鐘振還是諧振器件?
2、說到VCXO,在選用時(shí)哪些指標(biāo)必須得測(cè)試,如何測(cè)試呢?曾經(jīng)碰到過這樣得情況,同樣的電路,選用KDS的VCXO沒問題,其他廠家的貼上去系統(tǒng)就工作不起來,你用示波器去測(cè)量時(shí)鐘電路的輸出,看不出任何不同。1諧振器和鐘振他們的卻別在于諧振器是最簡(jiǎn)單的沒有任何補(bǔ)償?shù)恼袷幤?,而我們通常說的鐘振是由一個(gè)諧振器加上ic組成一個(gè)回路而實(shí)現(xiàn)其自身的功能。以vcxo為例:壓控晶體振蕩器(VCXO)是通過紅外加控制電壓使振蕩效率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器。VCXO主要由石英諧振器、變?nèi)荻O管和振蕩電路組成,其工作原理是通過控制電壓來改變變?nèi)荻O管的電容,從而“牽引”石英諧振器的頻率,以達(dá)到頻率調(diào)制的目的。VCXO大多用于鎖相技術(shù)、頻率負(fù)反饋調(diào)制的目的。而決定如何選用也應(yīng)該很清楚了吧?
晶振:石英晶體振蕩器(crystal oscillator),
諧振器(Resonator):在電路中等效作用是一個(gè)具有選頻作用的網(wǎng)絡(luò),是振蕩電路核心元器件,決定了振蕩器的頻率穩(wěn)定度(Frequency stability)種類有:石英晶體,陶瓷,LC,介質(zhì)等材料的諧振器。石英晶體與放大電路配合如果行成正反饋,并且回路放大系數(shù)大于一則產(chǎn)生自激振蕩信號(hào)。這就是石英晶體器的基本原理。
1、諧振器和鐘振在原理上的區(qū)別又在哪呢?在設(shè)計(jì)時(shí)如何決定選用鐘振還是諧振器件?
2、說到VCXO,在選用時(shí)哪些指標(biāo)必須得測(cè)試,如何測(cè)試呢?曾經(jīng)碰到過這樣得情況,同樣的電路,選用KDS的VCXO沒問題,其他廠家的貼上去系統(tǒng)就工作不起來,你用示波器去測(cè)量時(shí)鐘電路的輸出,看不出任何不同。1諧振器和鐘振他們的卻別在于諧振器是最簡(jiǎn)單的沒有任何補(bǔ)償?shù)恼袷幤?,而我們通常說的鐘振是由一個(gè)諧振器加上ic組成一個(gè)回路而實(shí)現(xiàn)其自身的功能。以vcxo為例:壓控晶體振蕩器(VCXO)是通過紅外加控制電壓使振蕩效率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器。VCXO主要由石英諧振器、變?nèi)荻O管和振蕩電路組成,其工作原理是通過控制電壓來改變變?nèi)荻O管的電容,從而“牽引”石英諧振器的頻率,以達(dá)到頻率調(diào)制的目的。VCXO大多用于鎖相技術(shù)、頻率負(fù)反饋調(diào)制的目的。而決定如何選用也應(yīng)該很清楚了吧?
深圳市晶友嘉電子有限公司在頻率器件行業(yè)已發(fā)展超過14年, 具備國際標(biāo)準(zhǔn)體系ISO9001、ISO14001等認(rèn)證, 在深圳建有生產(chǎn)基地,能快速化響應(yīng)市場(chǎng)需求,供應(yīng)性能穩(wěn)定和高性價(jià)比的貼片和插件晶振;
貼片晶振產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用在電源管理、儀器儀表、PC及周邊小家電、通訊產(chǎn)品、邏輯電路、應(yīng)用于DVB (數(shù)字機(jī)頂盒)、GPS(衛(wèi)星定位)、DVD及數(shù)碼相框、高性能MODEM、路由器、VPN接入服務(wù)器、無線路由器、網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)設(shè)備(NAS)、VOIP網(wǎng)關(guān)、數(shù)字硬盤錄像機(jī)(Digital video recorder, DVR)、DSLAMs、高端打印機(jī)、教學(xué)演示網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、交換機(jī)、機(jī)頂盒、稅控機(jī)、液晶顯示驅(qū)動(dòng)、鼠標(biāo)、鍵盤、藍(lán)牙音響、車載MP3、LCD控制板。
應(yīng)用領(lǐng)域:新能源汽車電子、智能機(jī)器人、無人機(jī)、醫(yī)療電子、2.4G無線通訊、微波通信、光網(wǎng)絡(luò)通訊、藍(lán)牙、移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)控制、及安防行業(yè)都取得一定的市場(chǎng)占有率。
晶友嘉提供專業(yè)貼片晶振、有源晶振、差分晶振、聲表諧振器等產(chǎn)品生產(chǎn)和供應(yīng),滿足您的所有晶振產(chǎn)品需求,電話:0755-32840201,歡迎來廠蒞臨指導(dǎo)。
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應(yīng)用領(lǐng)域:新能源汽車電子、智能機(jī)器人、無人機(jī)、醫(yī)療電子、2.4G無線通訊、微波通信、光網(wǎng)絡(luò)通訊、藍(lán)牙、移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)控制、及安防行業(yè)都取得一定的市場(chǎng)占有率。
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